SAMSUNG Disco duro interno Spinpoint F1 HD642JJ - 3.5" - 640 Gb - 7200 vueltas/min - 16 Mb - SATA-300 (HD642JJ)

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Velocidad récord y excelentes prestaciones caracterizan el Spinpoint F1 HD642JJ de 640 Gb de Samsung.Su interfaz SATA-300 y una memoria tampón de 16 Mb le permiten alcanzar una velocidad de hasta 300 Mb/seg. Las prestaciones no reducen la facilidad de utilización. El Spinpoint F1 se distingue por un consumo, un ruido y una temperatura inferior a la de los otros discos duros de 7200 rpm. Por ejemplo, su volumen sonoro no sobrepasa los 29 decibelios en funcionamiento. Descubre el nuevo estándar... (Para saber +)

Ficha técnica de Disco duro interno Spinpoint F1 HD642JJ - 3.5" - 640 Gb - 7200 vueltas/min - 16 Mb - SATA-300 (HD642JJ)

Velocidad récord y excelentes prestaciones caracterizan el Spinpoint F1 HD642JJ de 640 Gb de Samsung.

Su interfaz SATA-300 y una memoria tampón de 16 Mb le permiten alcanzar una velocidad de hasta 300 Mb/seg.

Las prestaciones no reducen la facilidad de utilización. El Spinpoint F1 se distingue por un consumo, un ruido y una temperatura inferior a la de los otros discos duros de 7200 rpm. Por ejemplo, su volumen sonoro no sobrepasa los 29 decibelios en funcionamiento.

Descubre el nuevo estándar de almacenamiento.

Disco duro Factor de forma 3.5" x 1/3H
Capacidad 640 GB
Tipo de interfaz Serial ATA-300
Tamaño de búfer 16 MB
Características NoiseGuard, tecnología SilentSeek, Protección contra Vibración Rotacional (RVS), Native Command Queuing (NCQ), Perpendicular Magnetic Recording (PMR)
Homologado S.M.A.R.T.
Prestación Índice de transferencia de la unidad 300 MBps (externo) / 175 MBps (interno)
Tiempo de búsqueda 8.9 ms (media)
Latencia media 4.17 ms
Velocidad del eje 7200 rpm
Fiabilidad Errores irreversibles 1 por 10^15
Ciclos de inicio / parada 50,000
Parámetros de entorno Temperatura mínima de funcionamiento 0 °C
Temperatura máxima de funcionamiento 60 °C
Ámbito de humedad de funcionamiento 5 - 90%
Tolerancia a golpes 70 g @ 2ms impulso en forma de semisinusoide (operativo) / 300 g @ 2ms impulso en forma de semisinusoide (no operativo)

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