* Garantía: 5 años de garantía limitada u 800 TBW * Velocidad de lectura secuencial: hasta 1700 MB/s ** Velocidad de escritura secuencial: hasta 1700 MB/s Velocidad de escritura secuencial: hasta 1550 MB/s** * Compatibilidad con HMB (High Bandwidth) * Compatible con HMB (Host Memory Buffer) * Compatible con TRIM y S.M.A.R.T Interfaz PCI-Express 3.0 x4, NVMe 1.3 Factor de forma M.2 2280 Capacidad total 512 GB Garantía limitada de 5 años o 800TBW NAND NAND Flash Caché DDR externa N/A Velocidad de lectura secuencial Hasta 1700 MB/s Velocidad de escritura secuencial Hasta 1550 MB/s IOPS de lectura aleatoria Hasta 270k IOPS de escritura aleatoria Hasta 340k Dimensión 80 x 22 x 2.3 mm Tiempo medio entre fallos (MTBF) 1,5M horas Consumo (activo) Lectura media : 3,3W ; Escritura : 2,8W Consumo (inactivo) 1,8mw Temperatura (funcionamiento) 0°C a 70°C Temperatura (almacenamiento) -40°C a 85°C
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